GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
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时间:2024-04-28 09:15:36
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基本信息
| 标准名称： | 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 |
| 英文名称： | Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 2009-10-30 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司 |
| 起草人： | 孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 16页 |
| 计划单号： | 20070862-T-469 |
适用范围
本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。
本标准适用于N 型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。
前言
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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